Hauni Protos นาโนซิลิคอนทรานซิสเตอร์ D2PAK ชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ไฟฟ้า

Hauni Protos นาโนซิลิคอนทรานซิสเตอร์ D2PAK ชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ไฟฟ้า

ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก

ทรานซิสเตอร์แบบจุดสัมผัส

ในปี ค.ศ. 1948 ทรานซิสเตอร์แบบจุดสัมผัสถูกประดิษฐ์ขึ้นโดยอิสระโดยนักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน เฮอร์เบิร์ต มาตาเร และไฮน์ริช เวลเกอร์ ขณะทำงานที่ Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ Westinghouse ที่ตั้งอยู่ในปารีสมาตาเรเคยมีประสบการณ์ในการพัฒนาเครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าคริสตัลจากซิลิคอนและเจอร์เมเนียมในความพยายามเรดาร์ของเยอรมันในช่วงสงครามโลกครั้งที่สองโดยใช้ความรู้นี้ เขาเริ่มค้นคว้าเกี่ยวกับปรากฏการณ์ "การรบกวน" ในปีพ.ศ. 2490

ทรานซิสเตอร์ความถี่สูง

ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงตัวแรกคือทรานซิสเตอร์เจอร์เมเนียมกั้นพื้นผิวที่พัฒนาโดย Philco ในปี 1953 ซึ่งสามารถทำงานได้สูงถึง 60 MHzสิ่งเหล่านี้ถูกสร้างขึ้นโดยการแกะสลักรอยกดลงในฐานเจอร์เมเนียมชนิด n จากทั้งสองด้านด้วยไอพ่นของอินเดียม (III) ซัลเฟตจนกระทั่งมีความหนาสองสามหมื่นนิ้วอินเดียมที่ชุบด้วยไฟฟ้าเข้าไปในร่องลึกทำให้เกิดตัวสะสมและตัวปล่อย

ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน

ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนที่ใช้งานได้ตัวแรกได้รับการพัฒนาที่ Bell Labs เมื่อวันที่ 26 มกราคม พ.ศ. 2497 โดย Morris Tanenbaumทรานซิสเตอร์ซิลิคอนเชิงพาณิชย์ตัวแรกผลิตโดย Texas Instruments ในปี 1954 นี่เป็นผลงานของ Gordon Teal ผู้เชี่ยวชาญด้านการปลูกผลึกที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งเคยทำงานที่ Bell Labs มาก่อน