Sasib 3000 Nano ทรานซิสเตอร์แบบทะลุผ่านรูโปรไฟล์ต่ำสำหรับเครื่องบุหรี่

Sasib 3000 Nano ทรานซิสเตอร์แบบทะลุผ่านรูโปรไฟล์ต่ำสำหรับเครื่องบุหรี่

การทำงานแบบง่าย

ทรานซิสเตอร์สามารถใช้สัญญาณขนาดเล็กระหว่างขั้วคู่หนึ่งเพื่อควบคุมสัญญาณที่ใหญ่กว่ามากที่ขั้วอีกคู่หนึ่งคุณสมบัตินี้เรียกว่ากำไรสามารถผลิตสัญญาณเอาท์พุตที่แรงกว่า แรงดันหรือกระแสไฟ ซึ่งเป็นสัดส่วนกับสัญญาณอินพุตที่อ่อนกว่า จึงสามารถทำหน้าที่เป็นแอมพลิฟายเออร์ได้อีกทางหนึ่ง ทรานซิสเตอร์สามารถใช้เพื่อเปิดหรือปิดกระแสไฟฟ้าในวงจรเป็นสวิตช์ควบคุมด้วยไฟฟ้า

CMOS

CMOS (MOS เสริม) ถูกคิดค้นโดย Chih-Tang Sah และ Frank Wanlass ที่ Fairchild Semiconductor ในปี 1963 รายงานแรกของ MOSFET แบบลอยตัวถูกสร้างขึ้นโดย Dawon Kahng และ Simon Sze ในปี 1967 MOSFET แบบสองประตูได้รับการสาธิตครั้งแรกใน 1984 โดยนักวิจัยห้องปฏิบัติการไฟฟ้า Toshihiro Sekigawa และ Yutaka Hayashi

ทรานซิสเตอร์ซิลิคอน

ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนที่ใช้งานได้ตัวแรกได้รับการพัฒนาที่ Bell Labs เมื่อวันที่ 26 มกราคม พ.ศ. 2497 โดย Morris Tanenbaumทรานซิสเตอร์ซิลิคอนเชิงพาณิชย์ตัวแรกผลิตโดย Texas Instruments ในปี 1954 นี่เป็นผลงานของ Gordon Teal ผู้เชี่ยวชาญด้านการปลูกผลึกที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งเคยทำงานที่ Bell Labs มาก่อน

ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก