Mosfet Irfz44ns เวอร์ชันทะลุผ่านสำหรับชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ Kretek MK8

Mosfet Irfz44ns เวอร์ชันทะลุผ่านสำหรับชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ Kretek MK8

ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก

ทรานซิสเตอร์ความถี่สูง

ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงตัวแรกคือทรานซิสเตอร์เจอร์เมเนียมกั้นพื้นผิวที่พัฒนาโดย Philco ในปี 1953 ซึ่งสามารถทำงานได้สูงถึง 60 MHzสิ่งเหล่านี้ถูกสร้างขึ้นโดยการแกะสลักรอยกดลงในฐานเจอร์เมเนียมชนิด n จากทั้งสองด้านด้วยไอพ่นของอินเดียม (III) ซัลเฟตจนกระทั่งมีความหนาสองสามหมื่นนิ้วอินเดียมที่ชุบด้วยไฟฟ้าเข้าไปในร่องลึกทำให้เกิดตัวสะสมและตัวปล่อย

หลอดสูญญากาศ

ทรานซิสเตอร์โดยทั่วไปมีขนาดเล็กกว่าและต้องการพลังงานในการทำงานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับหลอดสุญญากาศหลอดสุญญากาศบางชนิดมีข้อได้เปรียบเหนือทรานซิสเตอร์ที่ความถี่การทำงานสูงมากหรือแรงดันไฟฟ้าในการทำงานสูงทรานซิสเตอร์หลายประเภทผลิตขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐานโดยผู้ผลิตหลายราย

คุณสมบัติ

• เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูง

• ตัวยึดพื้นผิว (IRFZ44NS)

• รูทะลุต่ำ (IRFZ44NL)

• อุณหภูมิในการทำงาน 175 องศาเซลเซียส

• การสลับอย่างรวดเร็ว

• จัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่

• ไร้สารตะกั่ว