|
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 20 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-8 วัน |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Mosfet Irfz44ns เวอร์ชันทะลุผ่านสำหรับชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ Kretek MK8
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
ทรานซิสเตอร์ความถี่สูง
ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงตัวแรกคือทรานซิสเตอร์เจอร์เมเนียมกั้นพื้นผิวที่พัฒนาโดย Philco ในปี 1953 ซึ่งสามารถทำงานได้สูงถึง 60 MHzสิ่งเหล่านี้ถูกสร้างขึ้นโดยการแกะสลักรอยกดลงในฐานเจอร์เมเนียมชนิด n จากทั้งสองด้านด้วยไอพ่นของอินเดียม (III) ซัลเฟตจนกระทั่งมีความหนาสองสามหมื่นนิ้วอินเดียมที่ชุบด้วยไฟฟ้าเข้าไปในร่องลึกทำให้เกิดตัวสะสมและตัวปล่อย
หลอดสูญญากาศ
ทรานซิสเตอร์โดยทั่วไปมีขนาดเล็กกว่าและต้องการพลังงานในการทำงานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับหลอดสุญญากาศหลอดสุญญากาศบางชนิดมีข้อได้เปรียบเหนือทรานซิสเตอร์ที่ความถี่การทำงานสูงมากหรือแรงดันไฟฟ้าในการทำงานสูงทรานซิสเตอร์หลายประเภทผลิตขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐานโดยผู้ผลิตหลายราย
คุณสมบัติ
• เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูง
• ตัวยึดพื้นผิว (IRFZ44NS)
• รูทะลุต่ำ (IRFZ44NL)
• อุณหภูมิในการทำงาน 175 องศาเซลเซียส
• การสลับอย่างรวดเร็ว
• จัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่
• ไร้สารตะกั่ว
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 20 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องกระดาษ |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Mosfet Irfz44ns เวอร์ชันทะลุผ่านสำหรับชิ้นส่วนเครื่องจักรบุหรี่ Kretek MK8
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
ทรานซิสเตอร์ความถี่สูง
ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงตัวแรกคือทรานซิสเตอร์เจอร์เมเนียมกั้นพื้นผิวที่พัฒนาโดย Philco ในปี 1953 ซึ่งสามารถทำงานได้สูงถึง 60 MHzสิ่งเหล่านี้ถูกสร้างขึ้นโดยการแกะสลักรอยกดลงในฐานเจอร์เมเนียมชนิด n จากทั้งสองด้านด้วยไอพ่นของอินเดียม (III) ซัลเฟตจนกระทั่งมีความหนาสองสามหมื่นนิ้วอินเดียมที่ชุบด้วยไฟฟ้าเข้าไปในร่องลึกทำให้เกิดตัวสะสมและตัวปล่อย
หลอดสูญญากาศ
ทรานซิสเตอร์โดยทั่วไปมีขนาดเล็กกว่าและต้องการพลังงานในการทำงานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับหลอดสุญญากาศหลอดสุญญากาศบางชนิดมีข้อได้เปรียบเหนือทรานซิสเตอร์ที่ความถี่การทำงานสูงมากหรือแรงดันไฟฟ้าในการทำงานสูงทรานซิสเตอร์หลายประเภทผลิตขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐานโดยผู้ผลิตหลายราย
คุณสมบัติ
• เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูง
• ตัวยึดพื้นผิว (IRFZ44NS)
• รูทะลุต่ำ (IRFZ44NL)
• อุณหภูมิในการทำงาน 175 องศาเซลเซียส
• การสลับอย่างรวดเร็ว
• จัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่
• ไร้สารตะกั่ว
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
