|
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-8 วัน |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
ทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
คุณสมบัติ
• เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูง
• ตัวยึดพื้นผิว (IRFZ44NS)
• รูทะลุต่ำ (IRFZ44NL)
• อุณหภูมิในการทำงาน 175 องศาเซลเซียส
• การสลับอย่างรวดเร็ว
• จัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่
• ไร้สารตะกั่ว
IRFZ44NS/LPbF
| พารามิเตอร์ | นาที. | |
| วี(BR)DSS | แรงดันพังทลายจากเดรนสู่แหล่ง | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 ทีเจ | อุณหภูมิแรงดันพังทลายค่าสัมประสิทธิ์ | — |
| RDS(เปิด) | Static Drain-to-Source On-Resistance | — |
| วีจีเอส(th) | แรงดันเกทเกท | 2.0 |
| gts | ส่งต่อ Transconductance | 19 |
| bss | กระแสไฟรั่วไหลสู่แหล่งที่มา | — |
| — | ||
| การสูญเสีย | Gate-to-Source ส่งต่อการรั่วไหล | — |
| Gate-to-Source Reverse Leakage | — | |
| Qg | ค่าบริการประตูรวม | — |
| Qgs | ค่าบริการแบบ Gate-to-Source | — |
| Qgd | Gate-to-Drain ("มิลเลอร์") ค่าใช้จ่าย | — |
| td(เปิด) | เวลาหน่วงการเปิดเครื่อง | — |
| tr | เวลาเพิ่มขึ้น | — |
| td(ปิด) | เปิด-ปิดเวลาล่าช้า | — |
| tf | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | — |
| Ls | การเหนี่ยวนำแหล่งภายใน | — |
| Cjss | ความจุอินพุต | — |
| คอส | ความจุเอาต์พุต | — |
| Crss | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | — |
| ง่าย | Single Pulse Avalanche Energy® | — |
วัสดุ
ทรานซิสเตอร์ส่วนใหญ่ทำมาจากซิลิกอนบริสุทธิ์ และบางส่วนมาจากเจอร์เมเนียม แต่บางครั้งก็ใช้วัสดุเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆทรานซิสเตอร์อาจมีตัวพาประจุเพียงชนิดเดียว ในทรานซิสเตอร์แบบ field-effect หรืออาจมีตัวพาประจุสองชนิดในอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์แบบแยกสองขั้ว
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องกระดาษ |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
ทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
คุณสมบัติ
• เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูง
• ตัวยึดพื้นผิว (IRFZ44NS)
• รูทะลุต่ำ (IRFZ44NL)
• อุณหภูมิในการทำงาน 175 องศาเซลเซียส
• การสลับอย่างรวดเร็ว
• จัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่
• ไร้สารตะกั่ว
IRFZ44NS/LPbF
| พารามิเตอร์ | นาที. | |
| วี(BR)DSS | แรงดันพังทลายจากเดรนสู่แหล่ง | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 ทีเจ | อุณหภูมิแรงดันพังทลายค่าสัมประสิทธิ์ | — |
| RDS(เปิด) | Static Drain-to-Source On-Resistance | — |
| วีจีเอส(th) | แรงดันเกทเกท | 2.0 |
| gts | ส่งต่อ Transconductance | 19 |
| bss | กระแสไฟรั่วไหลสู่แหล่งที่มา | — |
| — | ||
| การสูญเสีย | Gate-to-Source ส่งต่อการรั่วไหล | — |
| Gate-to-Source Reverse Leakage | — | |
| Qg | ค่าบริการประตูรวม | — |
| Qgs | ค่าบริการแบบ Gate-to-Source | — |
| Qgd | Gate-to-Drain ("มิลเลอร์") ค่าใช้จ่าย | — |
| td(เปิด) | เวลาหน่วงการเปิดเครื่อง | — |
| tr | เวลาเพิ่มขึ้น | — |
| td(ปิด) | เปิด-ปิดเวลาล่าช้า | — |
| tf | เวลาฤดูใบไม้ร่วง | — |
| Ls | การเหนี่ยวนำแหล่งภายใน | — |
| Cjss | ความจุอินพุต | — |
| คอส | ความจุเอาต์พุต | — |
| Crss | ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ | — |
| ง่าย | Single Pulse Avalanche Energy® | — |
วัสดุ
ทรานซิสเตอร์ส่วนใหญ่ทำมาจากซิลิกอนบริสุทธิ์ และบางส่วนมาจากเจอร์เมเนียม แต่บางครั้งก็ใช้วัสดุเซมิคอนดักเตอร์อื่นๆทรานซิสเตอร์อาจมีตัวพาประจุเพียงชนิดเดียว ในทรานซิสเตอร์แบบ field-effect หรืออาจมีตัวพาประจุสองชนิดในอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์แบบแยกสองขั้ว
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
