|
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-8 วัน |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Baby Mark King Size Low-Profile ทรานซิสเตอร์ทะลุผ่านสำหรับเครื่องบุหรี่
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
การผลิตจำนวนมาก
ในปี 1950 วิศวกรชาวอียิปต์ Mohamed Atalla ได้ตรวจสอบคุณสมบัติพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำซิลิกอนที่ Bell Labs ซึ่งเขาได้เสนอวิธีการใหม่ในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ โดยเคลือบแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนด้วยชั้นฉนวนของซิลิคอนออกไซด์เพื่อให้ไฟฟ้าสามารถเจาะเข้าไปในตัวนำไฟฟ้าได้อย่างน่าเชื่อถือ ซิลิกอนด้านล่าง เอาชนะสถานะพื้นผิวที่ป้องกันไม่ให้ไฟฟ้าไปถึงชั้นเซมิคอนดักเตอร์สิ่งนี้เรียกว่าการเคลือบผิวพื้นผิว ซึ่งเป็นวิธีการที่มีความสำคัญต่ออุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งทำให้สามารถผลิตวงจรรวมซิลิคอนในปริมาณมากได้ในเวลาต่อมา
ความสำคัญ
ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบสำคัญในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่เกือบทั้งหมดหลายคนถือว่าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในสิ่งประดิษฐ์ที่ยิ่งใหญ่ที่สุดของศตวรรษที่ 20
การประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์ตัวแรกที่ Bell Labs ได้รับการตั้งชื่อว่า IEEE Milestone ในปี 2009 รายการของ IEEE Milestones ยังรวมถึงการประดิษฐ์ของทรานซิสเตอร์ทางแยกในปี 1948 และ MOSFET ในปี 1959
แรงดันตก
รูปภาพแสดงทรานซิสเตอร์สองขั้วทั่วไปในวงจรประจุจะไหลระหว่างขั้วอีซีแอลและตัวสะสมขึ้นอยู่กับกระแสในฐานเนื่องจากภายในการเชื่อมต่อฐานและตัวปล่อยมีพฤติกรรมเหมือนไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ แรงดันตกคร่อมจะพัฒนาระหว่างเบสกับตัวปล่อยในขณะที่กระแสฐานมีอยู่ปริมาณแรงดันไฟฟ้านี้ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ทำทรานซิสเตอร์และเรียกว่า VBE
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องกระดาษ |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Baby Mark King Size Low-Profile ทรานซิสเตอร์ทะลุผ่านสำหรับเครื่องบุหรี่
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
การผลิตจำนวนมาก
ในปี 1950 วิศวกรชาวอียิปต์ Mohamed Atalla ได้ตรวจสอบคุณสมบัติพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำซิลิกอนที่ Bell Labs ซึ่งเขาได้เสนอวิธีการใหม่ในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ โดยเคลือบแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนด้วยชั้นฉนวนของซิลิคอนออกไซด์เพื่อให้ไฟฟ้าสามารถเจาะเข้าไปในตัวนำไฟฟ้าได้อย่างน่าเชื่อถือ ซิลิกอนด้านล่าง เอาชนะสถานะพื้นผิวที่ป้องกันไม่ให้ไฟฟ้าไปถึงชั้นเซมิคอนดักเตอร์สิ่งนี้เรียกว่าการเคลือบผิวพื้นผิว ซึ่งเป็นวิธีการที่มีความสำคัญต่ออุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งทำให้สามารถผลิตวงจรรวมซิลิคอนในปริมาณมากได้ในเวลาต่อมา
ความสำคัญ
ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบสำคัญในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่เกือบทั้งหมดหลายคนถือว่าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในสิ่งประดิษฐ์ที่ยิ่งใหญ่ที่สุดของศตวรรษที่ 20
การประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์ตัวแรกที่ Bell Labs ได้รับการตั้งชื่อว่า IEEE Milestone ในปี 2009 รายการของ IEEE Milestones ยังรวมถึงการประดิษฐ์ของทรานซิสเตอร์ทางแยกในปี 1948 และ MOSFET ในปี 1959
แรงดันตก
รูปภาพแสดงทรานซิสเตอร์สองขั้วทั่วไปในวงจรประจุจะไหลระหว่างขั้วอีซีแอลและตัวสะสมขึ้นอยู่กับกระแสในฐานเนื่องจากภายในการเชื่อมต่อฐานและตัวปล่อยมีพฤติกรรมเหมือนไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ แรงดันตกคร่อมจะพัฒนาระหว่างเบสกับตัวปล่อยในขณะที่กระแสฐานมีอยู่ปริมาณแรงดันไฟฟ้านี้ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ทำทรานซิสเตอร์และเรียกว่า VBE
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
