|
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-8 วัน |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Super King Size 7.8 * 100mm Irfz44nl Protos บุหรี่เครื่องอะไหล่
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
วิทยุพ็อกเก็ตทรานซิสเตอร์
วิทยุทรานซิสเตอร์พกพา "ต้นแบบ" เครื่องแรกแสดงโดย INTERMETALL (บริษัทที่ก่อตั้งโดย Herbert Mataré ในปี 1952) ที่ Internationale Funkausstellung Düsseldorf ระหว่างวันที่ 29 สิงหาคม 1953 ถึง 6 กันยายน 1953 วิทยุทรานซิสเตอร์พกพา "สำหรับการผลิต" เครื่องแรกคือ Regency TR -1 เปิดตัวในเดือนตุลาคม พ.ศ. 2497
MOSFET
ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์ของโลหะออกไซด์–เซมิคอนดักเตอร์ (MOSFET) หรือที่เรียกว่าทรานซิสเตอร์ MOS ถูกคิดค้นโดย Mohamed Atalla และ Dawon Kahng ในปี 1959 MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กอย่างแท้จริงตัวแรกที่สามารถย่อขนาดและผลิตเป็นจำนวนมากสำหรับ ใช้งานได้หลากหลายด้วยความสามารถในการปรับขยายได้สูงและสิ้นเปลืองพลังงานน้อยกว่ามากและมีความหนาแน่นสูงกว่าทรานซิสเตอร์แบบชุมทางแบบไบโพลาร์ MOSFET ทำให้สามารถสร้างวงจรรวมที่มีความหนาแน่นสูงได้ ทำให้สามารถรวมทรานซิสเตอร์มากกว่า 10,000 ตัวในไอซีตัวเดียวได้
แรงดันตก
รูปภาพแสดงทรานซิสเตอร์สองขั้วทั่วไปในวงจรประจุจะไหลระหว่างขั้วอีซีแอลและตัวสะสมขึ้นอยู่กับกระแสในฐานเนื่องจากภายในการเชื่อมต่อฐานและตัวปล่อยมีพฤติกรรมเหมือนไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ แรงดันตกคร่อมจะพัฒนาระหว่างเบสกับตัวปล่อยในขณะที่กระแสฐานมีอยู่ปริมาณแรงดันไฟฟ้านี้ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ทำทรานซิสเตอร์และเรียกว่า VBE
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
|
| ชื่อแบรนด์: | Upperbond |
| เลขรุ่น: | ผู้ผลิต |
| ขั้นต่ำ: | 2 ชิ้น |
| ราคา: | โปร่ง |
| รายละเอียดการบรรจุ: | กล่องกระดาษ |
| เงื่อนไขการจ่ายเงิน: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Super King Size 7.8 * 100mm Irfz44nl Protos บุหรี่เครื่องอะไหล่
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ในการขยายหรือเปลี่ยนสัญญาณอิเล็กทรอนิกส์และพลังงานไฟฟ้าทรานซิสเตอร์เป็นหนึ่งในหน่วยการสร้างพื้นฐานของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะมีขั้วอย่างน้อยสามขั้วสำหรับเชื่อมต่อกับวงจรภายนอก
วิทยุพ็อกเก็ตทรานซิสเตอร์
วิทยุทรานซิสเตอร์พกพา "ต้นแบบ" เครื่องแรกแสดงโดย INTERMETALL (บริษัทที่ก่อตั้งโดย Herbert Mataré ในปี 1952) ที่ Internationale Funkausstellung Düsseldorf ระหว่างวันที่ 29 สิงหาคม 1953 ถึง 6 กันยายน 1953 วิทยุทรานซิสเตอร์พกพา "สำหรับการผลิต" เครื่องแรกคือ Regency TR -1 เปิดตัวในเดือนตุลาคม พ.ศ. 2497
MOSFET
ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์ของโลหะออกไซด์–เซมิคอนดักเตอร์ (MOSFET) หรือที่เรียกว่าทรานซิสเตอร์ MOS ถูกคิดค้นโดย Mohamed Atalla และ Dawon Kahng ในปี 1959 MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ขนาดเล็กอย่างแท้จริงตัวแรกที่สามารถย่อขนาดและผลิตเป็นจำนวนมากสำหรับ ใช้งานได้หลากหลายด้วยความสามารถในการปรับขยายได้สูงและสิ้นเปลืองพลังงานน้อยกว่ามากและมีความหนาแน่นสูงกว่าทรานซิสเตอร์แบบชุมทางแบบไบโพลาร์ MOSFET ทำให้สามารถสร้างวงจรรวมที่มีความหนาแน่นสูงได้ ทำให้สามารถรวมทรานซิสเตอร์มากกว่า 10,000 ตัวในไอซีตัวเดียวได้
แรงดันตก
รูปภาพแสดงทรานซิสเตอร์สองขั้วทั่วไปในวงจรประจุจะไหลระหว่างขั้วอีซีแอลและตัวสะสมขึ้นอยู่กับกระแสในฐานเนื่องจากภายในการเชื่อมต่อฐานและตัวปล่อยมีพฤติกรรมเหมือนไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ แรงดันตกคร่อมจะพัฒนาระหว่างเบสกับตัวปล่อยในขณะที่กระแสฐานมีอยู่ปริมาณแรงดันไฟฟ้านี้ขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ทำทรานซิสเตอร์และเรียกว่า VBE
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
